仙童MOS管参数：
型号：FQU1N60C
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：11.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：6.2nC @ 10V
Vgs（值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：170pF @ 25V
FET 功能：-
功率耗散（值）：2.5W（Ta），28W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：I-PAK
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
场效应管的使用注意事项：
为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。
各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。
MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
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