意法半导体场效应管参数：
型号：STF13NM60N
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：30nC @ 10V
Vgs（值）：±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：790pF @ 50V
FET 功能：-
功率耗散（值）：25W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220FP
封装/外壳：TO-220-3 整包
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
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