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深圳市创芯联盈电子有限公司
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企业档案
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产品信息
AO3406场效应管采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。
AO3406场效应管规格:
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值):50 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):210pF @ 15V
功率 - 值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
制造商零件编号:AO3406
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V