深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4450L场效应管参数：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：40V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：30 毫欧 @ 7A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：13nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：516pF @ 20V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SO

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    MOS场效应管：

    有增强型（Enhancement MOS或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：

    D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；

    G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；

    S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。