深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4413AL场效应管规格：

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）:30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）:10V，20V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:7 毫欧 @ 15A，20V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:3.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:61nC @ 10V

    Vgs（值）:±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）:3500pF @ 15V

    功率耗散（值）:3.1W（Ta）

    工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:8-SO

    封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的作用：

    1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3、场效应管可以用作可变电阻。

    4、场效应管可以方便地用作恒流源。

    5、场效应管可以用作电子开关。