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深圳市创芯联盈电子有限公司
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产品信息
AO4443L场效应管规格：
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：42 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：14.2nC @ 10V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：657pF @ 20V
功率耗散（值）：3.1W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-SOIC
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
场效应管的参数：
① 开启电压VGS(th) (或VT)
开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的，场效应管不能导通
② 夹断电压VGS(off) (或VP)
夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零
③ 饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流
④ 输入电阻RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω
