深圳市创芯联盈电子有限公司

    infineon场效应管代理规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：20V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.2A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：2.7V，4.5V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：250 毫欧 @ 930mA，4.5V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：700mV @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：3.9nC @ 4.5V

    Vgs（值）：±12V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：110pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：540mW（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：Micro3?/SOT-23

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

    用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：

    用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。