深圳市创芯联盈电子有限公司

12年
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4606 AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4606 AOS 美国万代 电子元器件IC
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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4606 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:

AOS

型号:

AO4606

封装:

SOP-8

批号:

1817+

FET类型:

参照PDF

漏源电压(Vdss):

参照PDF

漏极电流(Id):

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On):

参照PDF

栅源电压(Vgs):

参照PDF

栅极电荷(Qg):

参照PDF

反向恢复时间:

标准

耗散功率:

标准

产品信息





使用优势

VMOS场效应管场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。场效应管在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。


场效应管应用领域:

1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器