深圳市创芯联盈电子有限公司

12年
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4840L AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4840L AOS 美国万代 电子元器件IC
<>

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4840L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:

AOS

型号:

AO4840L

封装:

AO4840L

批号:

17+18+

FET类型:

参照PDF

漏源电压(Vdss):

参照PDF

漏极电流(Id):

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On):

参照PDF

栅源电压(Vgs):

参照PDF

栅极电荷(Qg):

参照PDF

反向恢复时间:

标准

耗散功率:

标准

产品信息





  

采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。场效应管(fet)是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和超大规模集成电路中被应用。

场效应管应用领域:

1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器