深圳市创芯联盈电子有限公司

11年
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC
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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:

AOS

型号:

AO4832L

封装:

SOP-8

批号:

17+18+

FET类型:

参照PDF

漏源电压(Vdss):

参照PDF

漏极电流(Id):

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On):

参照PDF

栅源电压(Vgs):

参照PDF

栅极电荷(Qg):

参照PDF

反向恢复时间:

标准

耗散功率:

标准

产品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4832L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:UNI/一般用途
封装外形:SMD(SO)/表面封装
是否跨境出口货源:是
        














 




与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强;(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。