深圳市创芯联盈电子有限公司

12年
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC
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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:

AOS

型号:

AO4704L

封装:

SOP-8

批号:

17+18+

FET类型:

参照PDF

漏源电压(Vdss):

参照PDF

漏极电流(Id):

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On):

参照PDF

栅源电压(Vgs):

参照PDF

栅极电荷(Qg):

参照PDF

反向恢复时间:

标准

耗散功率:

标准

产品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4704L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:UNI/一般用途
封装外形:SMD(SO)/表面封装
是否跨境出口货源:是
          














 



           

场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。