深圳市创芯联盈电子有限公司

11年
场效应管   AO4418 AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管   AO4418 AOS 美国万代 电子元器件IC
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场效应管 AO4418 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:

AOS

型号:

AO4418

封装:

SOP-8

批号:

17+18+

FET类型:

参照PDF

漏源电压(Vdss):

参照PDF

漏极电流(Id):

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On):

参照PDF

栅源电压(Vgs):

参照PDF

栅极电荷(Qg):

参照PDF

反向恢复时间:

标准

耗散功率:

标准

产品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4418 AOS 美国万代 电子元器件IC AO4418 AO4418 AO4418
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4418 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4418
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
是否跨境出口货源:是














 



                                                                                                                                              

作用1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3.场效应管可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源。5.场效应管可以用作电子开关。