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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4612 AOS 美国万代 电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4612 AOS 美国万代 电子元器件IC 品牌：AOS/美国万代 型号：AO4612 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 用途：SW-REG/开关电源 封装外形：SMD(SO)/表面封装 材料：N-FET硅N沟道 是否跨境出口货源：是

 

                                                                                                                                              

绝缘栅场效应管1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。