场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4914 AOS 美国万代电子元器件IC_深圳市创芯联盈电子有限公司

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4914 AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4914 AOS 美国万代电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4914 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：

AOS

型号：

AO4914

封装：

SOP-8

批号：

17+18+

FET类型：

参照PDF

漏源电压（Vdss）：

参照PDF

漏极电流(Id)：

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)：

参照PDF

栅源电压(Vgs)：

参照PDF

栅极电荷(Qg)：

参照PDF

反向恢复时间：

标准

耗散功率：

标准

QQ:2881793583

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产品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4914 AOS 美国万代电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4914 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：AOS/美国万代

型号：AO4914

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：增强型

用途：V-FET/V型槽MOS

封装外形：SMD(SO)/表面封装

材料：N-FET硅N沟道

是否跨境出口货源：是

C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。