场效应管 AO4604 AOS 美国万代电子元器件IC_深圳市创芯联盈电子有限公司

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场效应管 AO4604 AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 AO4604 AOS 美国万代电子元器件IC

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场效应管 AO4604 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：

AOS

型号：

AO4604

封装：

SOP-8

批号：

17+18+

FET类型：

参照PDF

漏源电压（Vdss）：

参照PDF

漏极电流(Id)：

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)：

参照PDF

栅源电压(Vgs)：

参照PDF

栅极电荷(Qg)：

参照PDF

反向恢复时间：

标准

耗散功率：

标准

QQ:2881793583

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产品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4604 AOS 美国万代电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4604 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：AOS/美国万代

型号：AO4604

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：增强型

用途：V-FET/V型槽MOS

封装外形：SMD(SO)/表面封装

材料：N-FET硅N沟道

是否跨境出口货源：是

AO4604 AO4604 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。