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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：

AOS

型号：

AO4822

封装：

SOP-8

批号：

17+18+

FET类型：

参照PDF

漏源电压（Vdss）：

参照PDF

漏极电流(Id)：

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)：

参照PDF

栅源电压(Vgs)：

参照PDF

栅极电荷(Qg)：

参照PDF

反向恢复时间：

标准

耗散功率：

标准

QQ:2881793583

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产品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：AOS/美国万代

型号：AO4822

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：增强型

用途：MOS-FBM/全桥组件

封装外形：SMD(SO)/表面封装

材料：N-FET硅N沟道

是否跨境出口货源：是

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。