深圳市创芯联盈电子有限公司

13年
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代 电子元器件IC
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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:

AOS

型号:

AO4822

封装:

SOP-8

批号:

17+18+

FET类型:

参照PDF

漏源电压(Vdss):

参照PDF

漏极电流(Id):

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On):

参照PDF

栅源电压(Vgs):

参照PDF

栅极电荷(Qg):

参照PDF

反向恢复时间:

标准

耗散功率:

标准

产品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4822
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
是否跨境出口货源:是














 



                                                                                                                                              


场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。