场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代电子元器件IC_深圳市创芯联盈电子有限公司

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：

AOS

型号：

AO4407A

封装：

SOP-8

批号：

17+18+

FET类型：

标准

漏源电压（Vdss）：

标准

漏极电流(Id)：

标准

漏源导通电阻(RDS On)：

标准

栅源电压(Vgs)：

标准

栅极电荷(Qg)：

标准

反向恢复时间：

标准

耗散功率：

标准

QQ:2881793583

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产品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：AOS/美国万代

型号：AO4407A

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：P沟道

导电方式：增强型

用途：V-FET/V型槽MOS

封装外形：SMD(SO)/表面封装

材料：P-FET硅P沟道

是否跨境出口货源：是

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代电子元器件IC品牌：AOS/美国万代型号：AO4407A种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：V-FET/V型槽MOS封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：P-FET硅P沟道是否跨境出口货源：是