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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4801A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4801A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4709 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4709 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4433 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4433 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3412 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3412 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3409 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3409 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOI516 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOI516 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4800 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4800 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4430L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4430L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4822L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOI452 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOI452 封装:TO-251 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4450 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4450 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是 货号:aos 批号:17+18+

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4706 AOS 美国万代 电子元器件IC

型号/规格:全系列 品牌/商标:AOS 封装形式:SMD(SO)/表面封装 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 品牌:AOS 型号:AO4706 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

美国万代场效应管 AOD516 AOS 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD516 封装:TO-252 批号:1806+ FET类型:P-Channel 漏源电压（Vdss）:20V 漏极电流(Id):2A 漏源导通电阻(RDS On):92 mΩ @ 2A, 10V 栅源电压(Vgs):±12V 栅极电荷(Qg):3.2nC @ 4.5V 反向恢复时间:6.1ns 耗散功率:1.4W 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

AO4842场效应管 N沟道MOSFET SOP8电子元器件

品牌:AOS 型号:AO4842 封装:SOP8 批号:1817+ FET类型:Dual N-Channel 漏源电压（Vdss）:30V 漏极电流(Id):7.5A : 栅源电压(Vgs):±20 栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 反向恢复时间:15.5nS 耗散功率:2000mW 配置类型:标准 工作温度范围:-55+150°C 安装类型:表面贴装

场效应管 AO4406 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4406 封装:SOP8 批号:1803+ FET类型:N-Channel 漏源电压（Vdss）:30V 漏极电流(Id):13A 漏源导通电阻(RDS On):11.5 mΩ @ 12A, 10V 栅源电压(Vgs):±20 栅极电荷(Qg):6.6nC @ 4.5V 反向恢复时间:7nS 耗散功率:3.1W 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 : 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO4447 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4447 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 AO4421 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4421 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 AOTF5N50 AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AOTF5N50 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 是否跨境货源:是

场效应管 AO4724 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4724 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 AOT240L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOT240L 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 是否跨境货源:是

场效应管 AO4402 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4402 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 AOT1404L AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AOT1404L 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 主要下游平台:亚马逊,速卖通 主要销售地区:东北亚,北美,南美 是否跨境货源:是 货号:10 批号:17+18+ 封装:TO-220

场效应管 AO4613 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4613 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是 货号:aos 批号:17+18+

场效应管 AOTF10N60 AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AOTF10N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 是否跨境货源:是

场效应管 AO4613L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4613L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AON4602 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AON4602 封装:MLP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO4600L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4600L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO7405 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO7405 封装:SOT-323 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AOD4189 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD4189 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO4446L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4446L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO4422AL AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AO4422AL 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AOD442 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD442 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 主要销售地区:欧洲,东南亚,北美

场效应管 AOT480 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOT480 封装:TO-220 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO4442L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4442L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO4806 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4806 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD : 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO4427L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4427L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AOD403 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD403 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 AO4443L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4443L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)