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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4446 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4446 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4422A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4422A 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO9435 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO9435 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6800 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO6800 封装:TSOP-6 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4818 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4818 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4610 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4610 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4435 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4435 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4420 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4420 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4411 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4411 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4801 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4801 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:SMD贴片 工作温度范围:-50-155 安装类型:SMD贴片 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4822A 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4437L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4437L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4438L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4438L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4449 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4449 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4812L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4812L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4709L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4709L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4488 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4488 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4464L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4464L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4468 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4468 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4415 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4415 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4408L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4408L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4603L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4603L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3413 AOS 美国万代 100%原装

品牌:AOS 型号:AO3413 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3400 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3400 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3701 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3701 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4836L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4836L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6400 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO6400 封装:TSOP-6 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6408 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO6408 封装:SOT23-6 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4902 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4902 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4615 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4615 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4609L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4609L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4422 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4422 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3419 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3419 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3411 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3411 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4815L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4815L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4440L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4440L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道 MOS管 AO2300 AOS 美国万代 集成电路

品牌:AOS 型号:AO2300 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:否 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4619 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4619 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)