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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4701 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4701 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4609 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4609 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4405 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4405 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4824 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4824 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOD472 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD472 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4404B AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4404B 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOU2N60 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOU2N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 是否跨境货源:是 货号:aos 批号:17+18+

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4826 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4826 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4708 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4708 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4612 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4612 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4914 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4914 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4404 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4404 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4414AL AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AO4414AL 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4822 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4822 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4450L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4450L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4702L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4702L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4414 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4414 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4614 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4614 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4620 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4620 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4407A 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:标准 漏源电压（Vdss）:标准 漏极电流(Id):标准 漏源导通电阻(RDS On):标准 栅源电压(Vgs):标准 栅极电荷(Qg):标准 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOD484 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD484 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 主要销售地区:欧洲,东南亚,北美

原装AO2301 AO2302 场效应管 电子元器件N沟道MOSFET

品牌:AOS 型号:AO2301 AO2302 封装:SOT23 批号:1825+ FET类型:P-Channel 漏源电压（Vdss）:-20V 漏极电流(Id):-3.2A 漏源导通电阻(RDS On):ID=-2.8A,VGS=-4.5V 栅源电压(Vgs):±8V 栅极电荷(Qg):3.2nC @ 4.5V 反向恢复时间:6.5nS 耗散功率:1400mW 配置类型:标准 工作温度范围:-55+150°C 安装类型:表面贴装 应用领域:军工/航天,家用电器,汽车电子,网络通信

电子元器件AO3400 AO3400A AO3401A AO3401A场效应管 N沟道MOSFET

品牌:AOS 型号:AO3400 封装:SOT23 批号:1812+ FET类型:N-Channel 漏源电压（Vdss）:30V 漏极电流(Id):5.7A 漏源导通电阻(RDS On):26.5 毫欧 @ 5.7A，10V 栅源电压(Vgs):±12V 栅极电荷(Qg):13nC @ 4.5V 反向恢复时间:8.5ns 耗散功率:1400mW 配置类型:标准 工作温度范围:-55+150°C 安装类型:表面贴装

2N7002场效应管

品牌:CJ 型号:2N7002 种类:结型(JFET) 沟道类型:N-Channel 导电方式:增强型 是否跨境货源:否 货号:CJ 批号:1813+ 封装:SOT23

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO9926 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO9926 封装:SOP-8 批号:1825+ FET类型:Dual N-Channel 漏源电压（Vdss）:20V 漏极电流(Id):5A 漏源导通电阻(RDS On): 栅源电压(Vgs):±8V 栅极电荷(Qg):5.54nC @ 4.5V 反向恢复时间:13.7ns 耗散功率:2W 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4606 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4606 封装:SOP-8 批号:1817+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3423 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3423 封装:SOP8 批号:1812+ FET类型:P-Channel 漏源电压（Vdss）:20V 漏极电流(Id):2A 漏源导通电阻(RDS On):92 mΩ @ 2A, 10V 栅源电压(Vgs):±12V 栅极电荷(Qg):3.2nC @ 4.5V 反向恢复时间:6.1ns 耗散功率:1.4W 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4480 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4480 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOD4132 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD4132 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 主要销售地区:欧洲,东南亚,北美

原装AOS代理 场效应管 N沟道 MOS管 AOD2810 AOS全系列 美国万代

品牌:详询商家 型号:AOD2810 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 主要销售地区:欧洲,东南亚,北美

原装AOS代理 场效应管 N沟道 MOS管 AOD4132 AOS全系列 美国万代

品牌:详询商家 型号:AOD4132 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 有可授权的自有品牌:否 主要销售地区:欧洲,东南亚,北美

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP1501 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AP1501 封装:TO-263 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4412L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4412L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4815 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4815 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3708 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AP3708 封装:SOP8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4612L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4612L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4906L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4906L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4412 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4412 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)