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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4405L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4405L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4900AL AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AO4900AL 封装:SOP8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOT270 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOT270 封装:TO-220 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4411L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4411L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4447L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4447L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOTF8N80 AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AOTF8N80 封装:TO-220 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4444L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4444L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4844 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4844 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4703L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4703L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOD240 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD240 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:耗尽型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 主要下游平台:亚马逊,独立站,ebay 主要销售地区:东南亚,欧洲,北美 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4485 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4485 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4474 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4474 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4474 AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AO4474 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 主要下游平台:亚马逊,速卖通 主要销售地区:东南亚,欧洲,中东,北美,南美,其他 有可授权的自有品牌:否 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOD2810 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD2810 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 主要销售地区:欧洲,东南亚,北美

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4906 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4906 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4425L AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AO4425L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4472 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4472 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4409 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4409 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4806L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4806L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4850 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4850 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4429L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4429L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4407L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4425L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4425L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:SMD贴片 工作温度范围:-50-155 安装类型:SMD贴片 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4805 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4805 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:SMD贴片 工作温度范围:-50-155 安装类型:SMD贴片 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4800AL AOS 美国万代 电子元器件

品牌:AOS 型号:AO4800AL 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4617 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4617 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3408 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3408 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4614B AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4614B 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是 货号:aos 批号:17+18+

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4407 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:标准 漏源电压（Vdss）:标准 漏极电流(Id):标准 漏源导通电阻(RDS On):标准 栅源电压(Vgs):标准 栅极电荷(Qg):标准 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4607 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4607 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4703 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4703 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO7401L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO7401L 封装:SOT-323 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO7401 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO7401 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是 货号:aos 批号:17+18+

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4705 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4705 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4611L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4611L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4430 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4430 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3418 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3418 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4437 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4437 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)