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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4438 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4438 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4610L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4610L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4413A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4413A 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3415 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3415 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4836 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4836 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4902L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4902L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4451 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4451 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4807L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4807L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4816L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4816L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4828 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4828 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4840L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4840L 封装:AO4840L 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO7400L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO7400L 封装:SOT-323 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4614L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4614L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOD3N50 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD3N50 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是 货号:aos 批号:17+18+

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4803A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4803A 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4803 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4803 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4832L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO8822 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO8822 封装:TSSOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 MOS管 AO4842 AO4606 AO3406 AO3407 全系列 美国 AOS

品牌:AOS 型号:AO4842 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:2 N-Channel (Dual) 漏源电压（Vdss）:30V 漏极电流(Id):7.5A 漏源导通电阻(RDS On):22 mOhm 栅源电压(Vgs):17nC @ 10V 栅极电荷(Qg):820pF @ 15V 反向恢复时间:标准 耗散功率:2000 配置类型:Tape & Reel (TR) 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:Surface Mount 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4802L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4802L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4704L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4420A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4420A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3406 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO3406 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4816 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4816 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4403 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4484 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4484 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 是否跨境货源:是

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3706 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AP3706 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO8820 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO8820 封装:TSSOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4404A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4404A 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4429 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4429 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6402 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO6402 封装:SOT23-6 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6376 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO6376 封装:SOT-23 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6401 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO6401 封装:TSOP-6 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4904L AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4904L 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4904 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4904 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4414A AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4414A 封装:SOP-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AOD408 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AOD408 封装:TO-252 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 应用领域:3C数码，网络通信等 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4913 AOS 美国万代 电子元器件IC

品牌:AOS 型号:AO4913 封装:SMD-8 批号:17+18+ FET类型:参照PDF 漏源电压（Vdss）:参照PDF 漏极电流(Id):参照PDF 漏源导通电阻(RDS On):参照PDF 栅源电压(Vgs):参照PDF 栅极电荷(Qg):参照PDF 反向恢复时间:标准 耗散功率:标准 配置类型:标准 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:贴片SMD 是否跨境货源:是 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)